| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -500 V |
| 额定电流 | -2.00 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 6 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 75 W |
| 输入电容 | 1.18 nF |
| 栅电荷 | 27.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.00 A |
| 上升时间 | 14 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1183pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 75 W |
| 下降时间 | 19 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 75W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.53 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 15.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 P 通道 500 V 2A（Tc） 75W（Tc） TO-220
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ON SEMICONDUCTOR MTP2P50EG 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -500 V, 6 ohm, 10 V, -3 V
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 2安培， 500伏 Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts
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