| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 160 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | TO-92-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 750 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 135 |
| 最大电流放大倍数 | 600 |
| 额定功率(Max) | 750 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 750 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5.2 mm |
| 宽度 | 3.93 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
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音频功放和中速切换 Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSD1616AGTA 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor KSD1616AGTA , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:81, 160 MHz, 3引脚 TO-92封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSD1616AGBU 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor KSD1616AYTA , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:135, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
ON Semiconductor（安森美）
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 160 MHz, 750 mW, 1 A, 200 hFE
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NPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
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