| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 24.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
| 零部件系列 | IRFS23N20D |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 24.0 A |
| 上升时间 | 32.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1960pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 200 V 24A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
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12 页 / 0.14 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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30 页 / 0.64 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 0.1 ohm, 10 V, 5.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRFS23N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V
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200V,24A,0.10Ω,N沟道功率MOSFET
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