| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | SOD-80 |
| 负载电流 | 200 mA |
| 针脚数 | 2 Position |
| 正向电压 | 0.6 V |
| 功耗 | 400 mW |
| 反向恢复时间 | 10 ns |
| 最大反向电压(Vrrm) | 20 V |
| 正向电流 | 200 mA |
| 最大正向浪涌电流 | 15 A |
| 最大反向漏电流 | 5 uA |
| 正向电压(Max) | 600 mV |
| 正向电流(Max) | 200 mA |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 工作结温 | 125℃ (Max) |
| 耗散功率(Max) | 400 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.7 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 125℃ |
| 最小包装数量 | 2500 |
反向电压VrReverse Voltage | 20V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current | 350mA/0.35A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 600mV/0.6V 最大耗散功率PdPower dissipation | 400MW/0.4W Description & Applications | The LL103A, B, C is a metal-on-silicon Schottky barrier device which is protected by a PN junction guard ring. The low forward voltage drop and fast switching make it ideal for protection of MOS devices, steering, biasing and coupling diodes for fast switching and low logic level applications. Other applications are click suppression, efficient full wave bridges in telephone subsets, and blocking 描述与应用 | LL103A，B，C是一个金属硅肖特基势垒装置是由一个PN结保护环保护。 低正向压降和快速开关使其保护MOS器件的理想选择，转向，偏置和耦合二极管快速开关，低逻辑电平的应用。其他应用是点击抑制，高效在电话的子集，全波桥和阻塞
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France
LL103 肖特基二极管 350mA/0.35A 600mV/0.6V SOD80/LL34 低压降
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小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky Diodes
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小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky Diodes
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小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky Diodes
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY LL103C-GS08 小信号肖特基二极管, AEC-Q101, 单, 20 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 125 °C
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY LL103A-GS08 小信号肖特基二极管, AEC-Q101, 单, 40 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °C
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