| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tray |
ST Microelectronics（意法半导体）
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Micron（镁光）
MICRON M29W400DB70N6E 闪存, 引导块, 非, 4 Mbit, 512K x 8位 / 256K x 16位, 并行, TSOP, 48 引脚
Micron（镁光）
NOR闪存 M29W400DB70ZE6E BGA48
ST Microelectronics（意法半导体）
4兆位（ 512 KB ×8或256 KB ×16 ，引导块） 3 V电源闪存 4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
ST Microelectronics（意法半导体）
4兆位（ 512KB ×8或256Kb的X16 ，引导块） 3V供应闪存 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
ST Microelectronics（意法半导体）
4兆位（ 512 KB ×8或256 KB ×16 ，引导块） 3 V电源闪存 4 Mbit (512 Kb x 8 or 256 Kb x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
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