SUD50P10-43L-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

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SUD50P10-43L-GE3 技术参数、封装参数

类型	描述
包装方式	Tape & Reel (TR)
工作温度	-55℃ ~ 150℃

Vishay Semiconductor（威世）

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VISHAY（威世）

P沟道100 -V （ D- S） 175℃ MOSFET P-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SUD50P10-43L-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -38 A, -100 V, 0.036 ohm, -10 V, -3 V

Vishay Siliconix

VISHAY（威世）

P沟道 100V 37.1A

Vishay Semiconductor（威世）

Vishay Siliconix

VISHAY（威世）

P沟道100 -V （ D- S） 175℃ MOSFET P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET

Vishay Siliconix

Vishay Semiconductor（威世）

P沟道100 -V （ D- S） 175℃ MOSFET P-Channel 100-V (D-S) 175 °C MOSFET

Vishay Intertechnology

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