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MGSF1N02LT1
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MGSF1N02LT1 数据手册

Leshan Radio(乐山无线电)
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MGSF1N02 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MGSF1N02LT1..  晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 85 mohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
部分莱恩设备组合与能源节约性状。这些微型表面贴装MOSFET采用摩托罗拉高密度,HDTMOS过程。低RDS(ON)保证最小的功率损耗和节省能源,使这个装置使用空间敏感的电源管理电路的理想选择。典型的..
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 750毫安, 20伏 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
Motorola(摩托罗拉)
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