Leshan Radio（乐山无线电）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MGSF1N02LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MGSF1N02LT1.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 85 mohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
部分莱恩设备组合与能源节约性状。这些微型表面贴装MOSFET采用摩托罗拉高密度，HDTMOS过程。低RDS（ON）保证最小的功率损耗和节省能源，使这个装置使用空间敏感的电源管理电路的理想选择。典型的..
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 750毫安， 20伏 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts
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