类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 20.0 V |
额定电流 | 750 mA |
封装 | SOT-23 |
漏源极电阻 | 90.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 400 mW |
漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
漏源击穿电压 | 20.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 750 mA |
上升时间 | 1.00 ns |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MGSF1N02LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MGSF1N02LT1.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 20 V, 85 mohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
部分莱恩设备组合与能源节约性状。这些微型表面贴装MOSFET采用摩托罗拉高密度,HDTMOS过程。低RDS(ON)保证最小的功率损耗和节省能源,使这个装置使用空间敏感的电源管理电路的理想选择。典型的..
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 750毫安, 20伏 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件