类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-226-3 |
针脚数 | 3 Position |
功耗 | 0.625 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
最小电流放大倍数 | 144 @50mA, 1V |
额定功率(Max) | 625 mW |
直流电流增益(hFE) | 144 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bag |
材质 | Silicon |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 20 V 500 mA - 625 mW 通孔 TO-92-3
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单晶体管 双极, PNP, -20 V, 625 mW, -500 mA, 144 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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