| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 1.60 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 漏源极电阻 | 125 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 420mW (Ta) |
| 输入电容 | 140 pF |
| 栅电荷 | 6.00 µC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.10 A |
| 输入电容值(Ciss) | 140pF @5V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 420mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON SEMICONDUCTOR MGSF1N03LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET的30 V ， 2.1 A单N沟道， SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
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