类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 1.60 A |
封装 | SOT-23-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 125 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 730 mW |
输入电容 | 140 pF |
栅电荷 | 6.00 µC |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.10 A, 1.60 A |
上升时间 | 1 ns |
输入电容值(Ciss) | 140pF @5V(Vds) |
下降时间 | 1 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 420mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 0.94 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
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功率MOSFET的30 V , 2.1 A单N沟道, SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23
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