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MJ11030G
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MJ11030G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-204-2
描述:高电流互补硅功率晶体管 High-Current Complementary Silicon Power Transistors
PDF文件:MJ11030G 数据手册 (4 页)封装尺寸在4 页
原理图在2 页
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焊盘图
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MJ11030G 数据手册 (4 页)
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MJ11030G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)90.0 V
额定电流50.0 A
封装TO-204-2
极性NPN
功耗300000 mW
击穿电压(集电极-发射极)90 V
集电极最大允许电流50A
最小电流放大倍数1000 @25A, 5V
额定功率(Max)300 W
工作温度(Max)200 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300000 mW
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MJ11030G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tray
长度38.86 mm
宽度26.67 mm
高度8.51 mm
工作温度-55℃ ~ 200℃ (TJ)
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MJ11030G 数据手册

MJ11030G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.11 MByte
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