类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 2 Pin |
额定电压(DC) | 120 V |
额定电流 | 50.0 A |
封装 | TO-204-2 |
额定功率 | 300 W |
输出电压 | 120 V |
输出电流 | 50 A |
针脚数 | 2 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 300 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 120 V |
集电极最大允许电流 | 50A |
最小电流放大倍数 | 1000 |
最大电流放大倍数 | 18000 |
额定功率(Max) | 300 W |
直流电流增益(hFE) | 18000 |
工作温度(Max) | 200 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 300000 mW |
输入电压 | 5 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tray |
长度 | 38.86 mm |
宽度 | 26.67 mm |
高度 | 8.51 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 200℃ (TJ) |
NPN 复合晶体管,On Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
●### 双极性晶体管,On Semiconductor
●ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:
●小信号晶体管
●功率晶体管
●双晶体管
●复合晶体管对
●高电压晶体管
●射频晶体管
●双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Multicomp
MULTICOMP MJ11032 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 120 V, 300 W, 50 A, 1000 hFE
ON Semiconductor(安森美)
高电流互补硅功率晶体管 High-Current Complementary Silicon Power Transistors
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