类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 6.00 A |
封装 | TO-263-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 65 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
集电极最大允许电流 | 6A |
最小电流放大倍数 | 15 @3A, 4V |
额定功率(Max) | 2 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape |
长度 | 10.29 mm |
宽度 | 9.65 mm |
高度 | 4.83 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
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ON SEMICONDUCTOR MJB41CT4G. 功率晶体管, NPN, 100V, D2-PAK
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ON SEMICONDUCTOR MJB41CG 功率晶体管, NPN, 100V, D2-PAK
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互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
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