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MJB41CT4G
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MJB41CT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-263-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJB41CT4G.  功率晶体管, NPN, 100V, D2-PAK
PDF文件:MJB41CT4G 数据手册 (6 页)封装尺寸在5 页
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焊盘图
引脚图
产品图
MJB41CT4G 数据手册 (6 页)
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MJB41CT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率3 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流6.00 A
封装TO-263-3
针脚数3 Position
极性NPN, PNP
功耗65 W
击穿电压(集电极-发射极)100 V
集电极最大允许电流6A
最小电流放大倍数15 @3A, 4V
额定功率(Max)2 W
直流电流增益(hFE)15
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
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MJB41CT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度10.29 mm
宽度9.65 mm
高度4.83 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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MJB41CT4G 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）
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