类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 2 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -10.0 A |
封装 | TO-220-3 |
极性 | PNP, P-Channel |
功耗 | 75 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
集电极最大允许电流 | 10A |
最小电流放大倍数 | 20 @4A, 4V |
最大电流放大倍数 | 100 |
额定功率(Max) | 600 mW |
直流电流增益(hFE) | 20 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 600 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
材质 | Silicon |
长度 | 10.1 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 9.4 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS MJE2955T 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 20 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR MJE2955TG 双极晶体管
Fairchild(飞兆/仙童)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon
ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon
ON Semiconductor(安森美)
互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
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