| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 2 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 0.6 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
| 最小电流放大倍数 | 20 @4A, 4V |
| 额定功率(Max) | 600 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 600 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS MJE2955T 单晶体管 双极, PNP, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 20 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MJE2955TG 双极晶体管
Fairchild（飞兆/仙童）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon
ON Semiconductor（安森美）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon
ON Semiconductor（安森美）
互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistors
Fairchild（飞兆/仙童）
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