| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 30 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -230 V |
| 额定电流 | -15.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 200 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 230 V |
| 集电极最大允许电流 | 15A |
| 最小电流放大倍数 | 50 |
| 最大电流放大倍数 | 200 |
| 额定功率(Max) | 200 W |
| 直流电流增益(hFE) | 12 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 16.26 mm |
| 宽度 | 5.3 mm |
| 高度 | 21.08 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 230 V 15 A 30MHz 200 W 通孔 TO-247-3
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ON SEMICONDUCTOR MJW1302AG 单晶体管 双极, PNP, -230 V, 30 MHz, 200 W, -15 A, 12 hFE 新
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互补NPN -PNP硅功率双极晶体管 Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
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