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R8008ANX
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R8008ANX 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
PDF文件:R8008ANX 数据手册 (6 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
R8008ANX 数据手册 (6 页)
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R8008ANX 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.79 Ω
极性N-Channel
功耗66 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)8A
上升时间50 ns
输入电容值(Ciss)1080pF @25V(Vds)
额定功率(Max)50 W
下降时间30 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)50W (Tc)
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R8008ANX 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
最小包装数量1000
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R8008ANX 数据手册

R8008ANX 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
6 页 / 0.5 MByte
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