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MMBD452LT1G
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MMBD452LT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:RF二极管
封装:SOT-23-3
描述:双热载流子二极管肖特基势垒二极管 Dual Hot−Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
PDF文件:MMBD452LT1G 数据手册 (36 页)
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焊盘图
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MMBD452LT1G 数据手册 (36 页)
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MMBD452LT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流100 mA
电容0.9 pF
封装SOT-23-3
无卤素状态Halogen Free
正向电压0.6 V
功耗225 mW
正向电压(Max)600 mV
工作温度(Max)125 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)225 mW
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MMBD452LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 125℃ (TJ)
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MMBD452LT1G 数据手册

MMBD452LT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
36 页 / 0.17 MByte
MMBD452LT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
36 页 / 0.15 MByte
MMBD452LT1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.11 MByte
MMBD452LT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.31 MByte

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