类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 400 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 35.0 V |
额定电流 | 15 mA |
封装 | SOT-23-3 |
击穿电压 | -35.0 V |
极性 | N-Channel |
功耗 | 225 mW |
测试电流 | 5 mA |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
额定电压 | 35 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 1.04 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 35v \---|--- 栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage| -35v 漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current| 5~15ma 关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage| -2.5~-6v 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| •N-Channel RF Amplifiers •This device is designed for RF amplifiers. 描述与应用| •N沟道RF放大器 该设备是专为RF放大器。
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MMBF4416 N通道 JFET 晶体管, Vds=15 V, Idss: 5 → 15mA, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF4416 晶体管, JFET, JFET, -30 V, 5 mA, 15 mA, -6 V, SOT-23, RF FET
National Semiconductor(美国国家半导体)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF4416A 晶体管, JFET, JFET, -35 V, 5 mA, 15 mA, -6 V, SOT-23, RF FET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MMBF4416A N通道 JFET 晶体管, Vds=15 V, Idss: 5 → 15mA, 3引脚 SOT-23封装
ON Semiconductor(安森美)
JFET VHF / UHF放大器晶体管N通道 JFET VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
ON Semiconductor(安森美)
JFET VHF / UHF放大器晶体管N通道 JFET VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
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