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MMBT3906WT1G
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MMBT3906WT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:SC-70-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906WT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 40 V, 250 MHz, 150 mW, 200 mA, 250 hFE
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MMBT3906WT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
频率250 MHz
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-40.0 V
额定电流-200 mA
封装SC-70-3
针脚数3 Position
极性PNP, P-Channel
功耗150 mW
增益频宽积250 MHz
击穿电压(集电极-发射极)40 V
集电极最大允许电流0.2A
最小电流放大倍数100 @10mA, 1V
额定功率(Max)150 mW
直流电流增益(hFE)250
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)150 mW
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MMBT3906WT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度2.2 mm
宽度1.24 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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MMBT3906WT1G 数据手册

MMBT3906WT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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14 页 / 0.19 MByte
MMBT3906WT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 1.55 MByte
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