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MMBZ27VAWT1G
来自 AiPCBA

MMBZ27VAWT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:TVS二极管
封装:SC-70-3
描述:40W 双齐纳瞬态电压抑制器，ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳，用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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焊盘图
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MMBZ27VAWT1G 数据手册 (5 页)
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MMBZ27VAWT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
工作电压22 V
封装SC-70-3
击穿电压22 V
电路数2 Circuit
针脚数3 Position
功耗200 mW
钳位电压40 V
测试电流1 mA
最大反向击穿电压28.35 V
脉冲峰值功率40 W
最小反向击穿电压25.65 V
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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MMBZ27VAWT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.2 mm
宽度1.35 mm
高度0.9 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MMBZ27VAWT1G 数据手册

MMBZ27VAWT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.16 MByte
MMBZ27VAWT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
11 页 / 0.1 MByte
MMBZ27VAWT1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.14 MByte
MMBZ27VAWT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.17 MByte

MMBZ27VAWT1 数据手册

MMBZ27VAWT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
40W 双齐纳瞬态电压抑制器，ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳，用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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