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STS6NF20V
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STS6NF20V 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:STMICROELECTRONICS  STS6NF20V  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mV
PDF文件:STS6NF20V 数据手册 (1 页)
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STS6NF20V 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.045 Ω
极性N-Channel
功耗2.5 W
阈值电压600 mV
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20.0 V
栅源击穿电压±12.0 V
连续漏极电流(Ids)6.00 A
上升时间33 ns
输入电容值(Ciss)460pF @15V(Vds)
额定功率(Max)2.5 W
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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STS6NF20V 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5 mm
宽度4 mm
高度1.25 mm
工作温度150℃ (TJ)
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STS6NF20V 数据手册

STS6NF20V 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.71 MByte
STS6NF20V 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.33 MByte
STS6NF20V 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.21 MByte

STS6NF20 数据手册

STS6NF20V 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STS6NF20V  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mV
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