| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 50 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -40.0 V |
| 额定电流 | -1.00 A |
| 封装 | TO-226-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 1 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 热阻 | 50℃/W (RθJC) |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 60 @100mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 1 W |
| 直流电流增益(hFE) | 50 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Box |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 5.21 mm |
| 高度 | 7.87 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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一瓦高电流晶体管PNP硅 One Watt High Current Transistors PNP Silicon
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ON SEMICONDUCTOR MPSW51AG 射频双极晶体管
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