| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 12.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.18 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3.9 W |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 输入电容 | 570 pF |
| 栅电荷 | 10.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 570pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.5 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 48 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.39 mm |
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MTD3055VL 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.18 ohm, 5 V, 1.5 V
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 12安培， 60伏 Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 12安培， 60伏 Power MOSFET 12Amps, 60 Volts
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MTD3055V 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.15 ohm, 10 V, 2.8 V
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 12安培， 60伏 Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 12安培， 60伏 Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 12安培， 60伏 Power MOSFET 12Amps, 60 Volts
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