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NDUL09N150CG
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NDUL09N150CG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-3-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  NDUL09N150CG  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 1.5 kV, 2.2 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:NDUL09N150CG 数据手册 (5 页)封装尺寸在5 页
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NDUL09N150CG 数据手册 (5 页)
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NDUL09N150CG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3-3
针脚数3 Position
漏源极电阻2.2 Ω
极性N-Channel
功耗78 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)1.5 kV
连续漏极电流(Ids)9A
上升时间75 ns
输入电容值(Ciss)2025pF @30V(Vds)
下降时间111 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3W (Ta), 78W (Tc)
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NDUL09N150CG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度15.7 mm
宽度5.7 mm
高度24.7 mm
工作温度150℃ (TJ)
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NDUL09N150CG 数据手册

NDUL09N150CG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.59 MByte
NDUL09N150CG 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
11 页 / 3.63 MByte
NDUL09N150CG 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
21 页 / 0.73 MByte

NDUL09N150 数据手册

NDUL09N150CG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NDUL09N150CG  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 1.5 kV, 2.2 ohm, 10 V, 4 V
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