| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 6.00 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 460 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.75W (Ta), 50W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6.00 A |
| 上升时间 | 29.0 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 480pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.75 W |
| 耗散功率(Max) | 1.75W (Ta), 50W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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ON SEMICONDUCTOR MTD6N20ET4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 200 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 6安培， 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAK
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