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MTD6N20ET5G
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MTD6N20ET5G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
PDF文件:MTD6N20ET5G 数据手册 (9 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
MTD6N20ET5G 数据手册 (9 页)
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MTD6N20ET5G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
极性N-CH
功耗1.75W (Ta), 50W (Tc)
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)6A
上升时间29 ns
输入电容值(Ciss)480pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.75 W
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.75W (Ta), 50W (Tc)
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MTD6N20ET5G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MTD6N20ET5G 数据手册

MTD6N20ET5G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.14 MByte
MTD6N20ET5G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.12 MByte
MTD6N20ET5G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.12 MByte

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