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MTP2P50E
来自 AiPCBA

MTP2P50E 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:功率MOSFET 2安培， 500伏 Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts
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MTP2P50E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
额定电压(DC)-500 V
额定电流-2.00 A
封装TO-220-3
漏源极电阻6.00 Ω
极性P-Channel
功耗75 W
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)2.00 A
上升时间14 ns
输入电容值(Ciss)1183pF @25V(Vds)
额定功率(Max)75 W
下降时间19 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)75W (Tc)
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MTP2P50E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
长度10.28 mm
宽度4.82 mm
高度9.28 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MTP2P50E 数据手册

MTP2P50E 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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