Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor（安森美） > MTW32N20EG Datasheet 文档
MTW32N20EG
来自 AiPCBA

MTW32N20EG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247
PDF文件:MTW32N20EG 数据手册 (7 页)引脚图在1 页Hot
封装尺寸在7 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
MTW32N20EG 数据手册 (7 页)
查看文档
或点击图片查看大图

MTW32N20EG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流32.0 A
封装TO-247-3
通道数1 Channel
漏源极电阻0.075 Ω
极性N-Channel
功耗180 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)32.0 A
上升时间120 ns
输入电容值(Ciss)5000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)180 W
下降时间91 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)180W (Tc)
查看数据手册 >

MTW32N20EG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
宽度5.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

MTW32N20EG 数据手册

MTW32N20EG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.12 MByte
MTW32N20EG 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.13 MByte

MTW32N20 数据手册

MTW32N20E 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
200V,32A,N沟道功率MOSFET
MTW32N20EG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247
MTW32N20E 数据手册
Motorola（摩托罗拉）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet