| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -50.0 V |
| 额定电流 | -100 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 230 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 35 @5mA, 10V |
| 最大电流放大倍数 | 35 |
| 额定功率(Max) | 230 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.5 mm |
| 高度 | 1.09 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 60 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.338W/338mW Description & Applications| FEATURES •bias resistor transistors •PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network •Simplifies Circuit Design •Reduces Board Space •Reduces Component Count •Moisture Sensitivity Level: 1 •ESD Rating − Human Body Model: Class 1− Machine Model: Class B •The SC−59 Package Can be Soldered Using Wave or Reflow •The Modified Gull−Winged Leads Absorb Thermal Stress During Soldering Eliminating the Possibility of Damage to the Die •Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 特点 •偏置电阻晶体管 •PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •湿度敏感度等级：1 •ESD额定值 - 人体模型：第1类- 机器型号：B类 •SC-59包装可以焊接使用波或回流 •改进的鸥翼信息过程中吸收热应力消除焊接模具损坏的可能性 •无铅包可用
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数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = 10千？ Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k
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ON SEMICONDUCTOR MUN2111T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SC-59
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MUN2111T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 60 0.338W/338mW SOT-23/SC-59 标记6A 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
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偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
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