| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 32 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13.8A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 950pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 32 W |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 32W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.65 mm |
| 宽度 | 4.9 mm |
| 高度 | 16.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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19 页 / 1.55 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPA60R280P6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPA60R280P6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
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晶体管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
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600V的CoolMOS E6功率晶体管 600V CoolMOS E6 Power Transistor
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晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 600 V, 0.214 ohm, 10 V, 3.5 V
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场效应管(MOSFET) IPA60R280P7S TO-220
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晶体管, MOSFET, 3, N沟道, 6 A, 600 V, 0.237 ohm, 10 V, 4 V
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