| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -50.0 V |
| 额定电流 | -100 mA |
| 封装 | SC-70-6 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 250 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 80 @5mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 250 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 80 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 385 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
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双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MUN5113DW1T1G 单晶体管 双极, 双PNP, 50 V, 250 mW, 100 mA, 80 hFE
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