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NAND01GW3B2AZA6E
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NAND01GW3B2AZA6E 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:存储芯片
封装:VFBGA-63
描述:NAND闪存 NAND MEDIA FLASH
PDF文件:NAND01GW3B2AZA6E 数据手册 (61 页)典型应用电路图在9 页15 页
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NAND01GW3B2AZA6E 数据手册 (61 页)
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NAND01GW3B2AZA6E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
电源电压3.30 V, 3.60 V (max)
封装VFBGA-63
内存容量1000000000 B
工作温度(Max)85 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
电源电压2.7V ~ 3.6V
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NAND01GW3B2AZA6E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 85℃ (TA)
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NAND01GW3B2AZA6E 数据手册

NAND01GW3B2AZA6E 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
61 页 / 1.37 MByte
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ST Microelectronics（意法半导体）
60 页 / 1.3 MByte

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