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VND830E 数据手册 (20 页)
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VND830E 技术参数、封装参数

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VND830E 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
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VND830 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
双通道高侧驱动器 DOUBLE CHANNEL HIGH SIDE DRIVER
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  VND830SP-E  双路驱动器芯片, 高压侧, 5.5V-36V电源, 9A输出, 30µs延迟, SOIC-10
ST Microelectronics(意法半导体)
VND830SP-E系列 36 V 7 mA 双通道 高边驱动器 - PowerSO-10
ST Microelectronics(意法半导体)
VND830ASP 系列 36 V 6A 双通道 高边 固态 继电器-POWERSO-10
ST Microelectronics(意法半导体)
双通道高侧驱动器 Double channel high-side driver
ST Microelectronics(意法半导体)
电源负载分配开关, 高压侧, 13V, 2输出, 9A, 0.06ohm, SOIC-16
ST Microelectronics(意法半导体)
马达/运动/点火控制器和驱动器 DBLE CH HI-SIDE DRVR
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
IC,高侧电源开关,STMicroelectronics高侧开关可在电阻、电感和电容式接地负载中安全驱动高电流。 设计用于在恶劣的汽车环境中工作,它们需要坚固、低接通电阻电源开关和准确模拟电路,用于诊断、保护和控制功能。### 智能电源开关,STMicroelectronics
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