| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -24.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.041 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 60 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | -20.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 24.0 A |
| 上升时间 | 27 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1590pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 60 W |
| 下降时间 | 70 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 60W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 11.33 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDB6020P 晶体管, MOSFET, P沟道, -24 A, -20 V, 0.041 ohm, -4.5 V, -700 mV
ON Semiconductor（安森美）
增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
National Semiconductor（美国国家半导体）
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