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STW48NM60N
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STW48NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:STMICROELECTRONICS  STW48NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 39 A, 600 V, 0.055 ohm, 10 V, 3.2 V
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STW48NM60N 数据手册 (2 页)
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STW48NM60N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.055 Ω
极性N-Channel
功耗255 W
阈值电压3.2 V
输入电容4285 pF
漏源极电压(Vds)600 V
上升时间18 ns
输入电容值(Ciss)4285pF @50V(Vds)
额定功率(Max)255 W
下降时间25.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)330W (Tc)
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STW48NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度15.75 mm
宽度5.15 mm
高度20.15 mm
工作温度150℃ (TJ)
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STW48NM60N 数据手册

STW48NM60N 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
2 页 / 0.07 MByte
STW48NM60N 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.69 MByte
STW48NM60N 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
32 页 / 0.51 MByte

STW48NM60 数据手册

STW48NM60N 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STW48NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 39 A, 600 V, 0.055 ohm, 10 V, 3.2 V
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