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NDPL180N10B
来自 AiPCBA

NDPL180N10B 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:TO-220-3
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
NDPL180N10B 数据手册
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NDPL180N10B 技术参数、封装参数

类型描述
封装TO-220-3
漏源极电阻3 mΩ
极性N-CH
功耗200 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)180A

NDPL180N10B 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
最小包装数量50

NDPL180N10 数据手册

NDPL180N10BG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NDPL180N10BG  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0025 ohm, 15 V, 4 V
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