| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | DPAK-3 |
| 漏源极电阻 | 80 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 71 W |
| 阈值电压 | 2.2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 19A |
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD6416ANT4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.073 ohm, 10 V, 2 V
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD6416ANLT4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 100 V, 68 mohm, 10 V, 2.2 V
ON Semiconductor（安森美）
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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