类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -120 mA |
封装 | SOT-23-3 |
额定功率 | 360 mW |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 10 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 360 mW |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | -120 mA |
上升时间 | 6.3 ns |
输入电容值(Ciss) | 79pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 360 mW |
下降时间 | 7.5 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 360mW (Ta) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.92 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 0.93 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.12A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.0Ω @-500mA,-10V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -1--3.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| Features • −0.12A, −60V. RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = −10 V RDS(ON) = 20 Ω @ VGS = −4.5 V • Voltage controlled p-channel small signal switch • High density cell design for low RDS(ON) • High saturation current 描述与应用| •电压控制p沟道小信号开关 •高密度电池设计的低RDS(ON) •高饱和电流“
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