| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -1.00 A |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 300 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±8.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.00 A |
| 上升时间 | 30 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 195pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 460 mW |
| 下降时间 | 27 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.92 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 0.94 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.035Ω @-1A,-2.7V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.0V. Proprietary package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. Compact industry standard SOT-23 surface Mount package. 描述与应用| 非常低的水平栅极驱动要求可直接 操作在3V电路。 VGS（TH）<1.0V。 专有包装设计采用铜引线框架的 卓越的热性能和电气性能。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 卓越的导通电阻和最大DC电流能力。 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS332P.... 晶体管, MOSFET, P沟道, 1 A, -20 V, 410 mohm, -4.5 V, -600 mV
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS332P, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
National Semiconductor（美国国家半导体）
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