| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.03 Ω |
| 功耗 | 3 W |
| 阈值电压 | 1.6 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 720pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.1 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.7 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT451AN. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 7.2A, SOT-223, 整卷
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT451AN, 7.2 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
National Semiconductor（美国国家半导体）
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