| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.038 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.16 A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 305pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 750 mW |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1250 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.04 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1.02 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
| 最小包装数量 | 3000 |
N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor
●### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
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N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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VISHAY SI2306BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
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N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2306BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, TO-236
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