类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
漏源极电阻 | 0.065 Ω |
功耗 | 1.25 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 18 ns |
热阻 | 100℃/W (RθJA) |
输入电容值(Ciss) | 305pF @15V(Vds) |
下降时间 | 10 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 750mW (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 3.04 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
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N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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VISHAY SI2306BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
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VISHAY SI2306BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, TO-236
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