Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor（威世） > SI2306BDS-T1-GE3 Datasheet 文档
SI2306BDS-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI2306BDS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-236
描述:VISHAY  SI2306BDS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, TO-236
PDF文件:SI2306BDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI2306BDS-T1-GE3 数据手册 (9 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI2306BDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-236
针脚数3 Position
漏源极电阻0.065 Ω
极性N-Channel
功耗750 mW
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)4.00 A
下降时间6 ns
工作温度(Max)150 ℃
查看数据手册 >

SI2306BDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
查看数据手册 >

SI2306BDS-T1-GE3 数据手册

SI2306BDS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.2 MByte
SI2306BDS-T1-GE3 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
8 页 / 0.2 MByte
SI2306BDS-T1-GE3 产品修订记录
Vishay Semiconductor（威世）
2 页 / 0.09 MByte

SI2306BDST1 数据手册

SI2306BDS-T1-E3 数据手册
VISHAY（威世）
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2306BDS-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  SI2306BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
SI2306BDS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2306BDS-T1-E3 数据手册
Vishay Siliconix
SI2306BDS-T1-GE3 数据手册
Vishay Siliconix
SI2306BDS-T1-GE3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY  SI2306BDS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, TO-236
SI2306BDS-T1-E3 数据手册
Vishay Intertechnology
SI2306BDS-T1-GE3 数据手册
Vishay Intertechnology
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet