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SI2306BDS-T1-GE3
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SI2306BDS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PDF文件:SI2306BDS-T1-GE3 数据手册 (8 页)封装尺寸在5 页6 页
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焊盘图
引脚图
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SI2306BDS-T1-GE3 数据手册 (8 页)
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SI2306BDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
漏源极电阻65 mΩ
极性N-CH
功耗1.25 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)3.16A
上升时间12 ns
输入电容值(Ciss)305pF @15V(Vds)
额定功率(Max)750 mW
下降时间6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1250 mW
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SI2306BDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量3000
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SI2306BDS-T1-GE3 数据手册

SI2306BDS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
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