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SI2306BDS-T1-E3
来自 AiPCBA

SI2306BDS-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:MOS管
封装:TO-236
描述:VISHAY  SI2306BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:SI2306BDS-T1-E3 数据手册 (5 页)
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SI2306BDS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-236
针脚数3 Position
漏源极电阻0.038 Ω
极性N-Channel
功耗1.25 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
连续漏极电流(Ids)3.16 A
上升时间12 ns
热阻100℃/W (RθJA)
输入电容值(Ciss)305pF @15V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)0.75 W
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SI2306BDS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.04 mm
宽度1.4 mm
高度1.02 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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SI2306BDS-T1-E3 数据手册

SI2306BDS-T1-E3 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
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