| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 7.10 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.03 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3 W |
| 阈值电压 | 1.6 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.20 A |
| 上升时间 | 13 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 720pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.1 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.7 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 7.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.05Ω/Ohm 6A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 3W Description & Applications| N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Power SOT N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild"s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed. High density cell design for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability in a widely used surface mount package 描述与应用| N沟道增强型场效应晶体管 概述 电源SOT N沟道增强模式电源领域 场效应晶体管都采用飞兆半导体 专有的，高密度，DMOS技术。这很 高密度的过程特别是针对减少 通态电阻和提供优越的开关 性能。这些器件特别适用于低 直流电动机的控制和DC / DC电压应用，如 转换快速开关，低线的功率损耗， 以及抗瞬变是必要的。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 一种广泛使用的高功率和电流处理能力 表面贴装封装
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT451AN. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 7.2A, SOT-223, 整卷
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT451AN, 7.2 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
National Semiconductor（美国国家半导体）
Fairchild（飞兆/仙童）
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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