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NTHD4102PT1G
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NTHD4102PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:ChipFET-8
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTHD4102PT1G  Dual MOSFET, Dual P Channel, -2.9 A, -20 V, 64 mohm, -4.5 V, -1.5 V 新
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NTHD4102PT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)-20.0 V
额定电流-7.30 A
封装ChipFET-8
通道数2 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.064 Ω
极性Dual P-Channel
功耗1.1 W
阈值电压1.5 V
漏源极电压(Vds)20 V
漏源击穿电压20 V
栅源击穿电压±8.00 V
连续漏极电流(Ids)4.10 A
上升时间12 ns
输入电容值(Ciss)750pF @16V(Vds)
额定功率(Max)1.1 W
下降时间23 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.1 W
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NTHD4102PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.1 mm
宽度1.65 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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NTHD4102PT1G 数据手册

NTHD4102PT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.09 MByte
NTHD4102PT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
204 页 / 1.12 MByte
NTHD4102PT1G 产品修订记录
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9 页 / 0.53 MByte

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